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改革开放以来 我国集成电路产业整体实力快速提升ag环亚娱乐平台

来源:http://www.ps2cheats.com 责任编辑:ag环亚娱乐平台 更新日期:2019-02-04 20:10

  集成电路是培育战略性新兴产业、发展信息经济的重要支撑,在信息技术领域的核心地位十分突出。改革开放后,我国加快集成电路产业建设,先后启动908工程、909工程等重大项目,集成电路业实现高速发展。特别是党的十八大以来,我国集成电路产业实力得到快速提升。中国集成电路产业销售额从2013年的2508.5亿元,增长到2017年的5411.3亿元,5年间增长了一倍。2018年19月中国集成电路产业销售额为4461.5亿元,同比增长22.4%。

  IC设计是集成电路产业链的龙头,设计企业的发展直接影响着制造和封装等产业链上下游众多环节。近几年来,我国IC设计业发展非常迅速。中国半导体行业协会集成电路设计分会的数据显示,至2018年年底,全国共有1698家设计企业,比去年的1380家多了318家,数量增长了23%。这是2016年设计企业数量大增600多家后,再次出现企业数量大增的情况。从统计数量上看,除了北京、上海、深圳等传统设计企业聚集地外,无锡、成都、苏州、合肥等城市的设计企业数量都超过100家,西安、南京、厦门等城市的设计企业数量接近100家,天津、杭州、武汉、长沙等地的设计企业数量也有较大幅度的增加。郑爽疑开经纪公司 注册资本3000万ag娱乐官方网站

  IC设计企业数量增长的同时,规模以上企业也在增加。据中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军介绍,2018年预计有208家IC设计企业的销售额超过1亿元,比2017年的191家增加17家,增长8.9%。同时,这208家销售过亿元的企业销售总和达到2057.64亿元,比上年的1771.49亿元增加了286.15亿元,占全行业销售总和的比例为79.85%。

  销售额是衡量一个行业发展状况的重要指标,我国IC设计业增速近年来一直保持两位数水平,且远高于国际平均水平,2018年同样保持这一态势,销售规模预计为2576.96亿元,比2017年的1945.98亿元增长32.42%,增速比上年的28.15%提高4.27个百分点。按照美元与人民币1∶6.8的兑换率,全年销售额达到378.96亿美元,在全球集成电路设计业的占比将再次提高。

  从产品类型上看,我国企业在通信芯片上的实力已逐步进入国际一线阵营。紫光展锐已开发出5G原型pilot-v2平台,将在2019年推出5G芯片,实现5G芯片的商用。2018年从事通信芯片设计的企业从2017年的266家增加到307家,对应的销售总额提升了16.34%,达到1046.75亿元。此外,计算机芯片与消费类芯片也有较强增长。从事计算机芯片设计的企业数量从去年的85家增加到109家,销售大幅提升了180.18%,达到359.41亿元。消费类电子的企业数量从上年的610家增加到783家,销售增长36.46%,达617.24亿元,继续保持了2017年的快速增长势头。

  设计的发展离不开晶圆制造、封测、装备、材料等产业链支撑,以往我国晶圆制造业技术距离国际先进水平约有二代左右的差距,装备、材料上的差距更大,但是经过这些年的追赶,已经有了较大幅度的提高。

  目前中国集成电路已形成了适合自身的技术体系,建立了相对完整的产业链,产业生态和竞争力得到完善和提升,形成了长三角、珠三角、津京环渤海以及中西部地区多极发展的格局。目前,已建成12英寸生产线英寸生产线处于建设当中,其中既包括中芯国际、华虹集团、武汉新芯等本土资本为主导的企业,也包括英特尔、三星、格芯、台积电外资或台资投资(独资或参股)的企业。在制造工艺方面,65纳米、40纳米、28纳米工艺已经量产,14纳米技术研发取得突破,特色工艺竞争力提高。存储器是通用芯片之一,应用十分广泛。我国在3D NAND技术研发上取得重大进展和创新,以自主知识产权为基础开展研发,提出新架构Xtacking。这也是中国企业首次在集成电路领域提出重要的新架构和技术路径。

  封装业一直是国内实力较强的领域,近年来积极推进先进封装的发展,从中低端进入高端领域,竞争力大幅提升。根据中国半导体行业协会封装分会统计数据,2017年国内集成电路封测业销售收入由2016年的1523.2亿元增加至1816.6亿元,同比增长19.3%,ag环亚娱乐平台!国内IC封测业规模企业为96家,从业人数达15.6万。长电科技实现了高集成度和高精度SiP模组的大规模量产,通富微电率先实现7nm FC产品量产,华天科技开发了0.25mm超薄指纹封装工艺,实现了射频产品4G PA的量产。

  关键装备和材料则实现了从无到有的转变,整体水平达到28纳米,部分产品进入14纳米~7纳米,被国内外生产线采用。近日,中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机在通过台积电验证,性能优良,将用于全球首条5纳米制程生产线。中微半导体打入台积电供应链,证明国产半导体设备力量正在逐渐壮大。在此之前,台积电7纳米芯片生产线也用上中微的刻蚀机。目前,国内关键装备品种覆盖率达到31.1%,先进封装装备品种覆盖率80%。

  在材料方面,200mm硅片产品品质显著提升,高品质抛光片、外延片开始进入市场。300mm硅片产业化技术取得突破,90纳米~65纳米产品通过用户评估,开始批量销售。测射耙材及超高纯金属材料取得整体性突破,形成相对完整的耙材产品体系。铜和阻挡层抛光液国内市场占有率超过50%,并进入国际市场。NF3、WF6等气体产业化技术达到世界领先,国内市占率超过70%,并进入国际市场。磷烷、砷烷和安全离子源产品形成自主供应能力。

  新材料产业成为未来高新技术产业发展的先导和基石,其中,宽禁带半导体材料是新材料的代表之一。党的十八大以来,我国掀起了宽禁带功率半导体材料和器件的产业化浪潮。2016年12月,国务院成立了国家新材料产业发展领导小组。近年来,在国内企业、科研院所、高等院校等共同的努力下,建成或正在建设十余条4英寸~6英寸碳化硅芯片工艺线英寸硅基氮化镓芯片工艺线,形成了技术积累,缩小了与国外先进水平的差距。

  我国碳化硅外延材料的研发和产业化水平紧紧跟随国际水平,产品已打入国际市场。在产业化方面,我国20m及以下的碳化硅外延材料产品水平接近国际先进水平;在碳化硅功率器件上,我国具备了1200V~3300V SiC MOSFET、1200V~4500V SiC JFET等芯片的研发能力,最大单芯片电流容量25A。目前国内有多家企业建成或正在建设多条碳化硅芯片工艺线,这些工艺线的投产,将会大大提升国内碳化硅功率器件的产业化水平。

  硅基氮化镓材料成本优势显著,易于获得大尺寸、导热性好,而且器件制备可以有效兼容传统硅集成电路CMOS工艺,是目前工业界普遍采用的技术路线。我国在平面型氮化镓功率器件领域的发展紧跟国际步伐,晶圆尺寸以6英寸为主,并开发出了900V及以下电压等级的硅基氮化镓器件样品。近年来,国内也开始了垂直氮化镓功率器件的研发,开发了最高阻断电压1700V的氮化镓二极管样品。我国氮化镓射频器件近年来取得迅速发展,并已形成产业化公司,器件性能达到国际先进水平。(记者 陈炳欣)

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